温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种去除半导体基片掩膜层的方法，首先对基片正面进行减薄工艺，去除部分的第一掩膜层；然后再对基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层，靠近基片背面的LTO结构处于第二掩膜层的保护下，并不会受到湿法腐蚀工艺的损坏，从...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。