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一种半导体元件背面铜金属的改良结构，其中前述改良结构由上而下依序包括有一主动层、一基板、一背面金属种子层、一耐持久高温缓冲层、一背面金属层以及至少一抗氧化金属层，其中该背面金属种子层的材料包含钯以及磷，该耐持久高温缓冲层的材料为镍、银或镍合...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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