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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：选取N型硅片作为衬底；在衬底上形成P阱、N阱和栅氧化层，并在栅氧化层上淀积多晶硅，形成多晶硅栅极电极；在第一区域形成第一P-body区域；形成第一N型扩散区域和第一P型扩散区域；形成半导体器件的正...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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