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本实用新型公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金属导线。金属导线上下...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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