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本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构,依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力,或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力,在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态;...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构,依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力,或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力,在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态;...