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本发明提供一种等离子体进入多极磁阱线圈的控制方法，包括：S1：确定溜槽线圈与多极磁阱线圈的相对位置；S2：确定溜槽线圈轴线与多极磁阱线圈轴线的夹角θ；S3：计算所述多极磁阱线圈的外部磁壳的通用磁感应强度，并根据注入点位置数据计算出等离子体注...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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