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本实用新型提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层，外延层是预先生长的，并在外延层的顶面设有沟槽。体区位于沟槽之间，并向外延层的底面方向延伸至预定位置。栅电极位于沟槽内，且平行于体区的延伸方向，栅电...
该专利属于晶科华兴集成电路（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科华兴集成电路（深圳）有限公司授权不得商用。

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