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本发明提出一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置，包括：真空反应腔；样品台，可旋转，位于真空反应腔的底部；等离子体激发单元，位于真空反应腔的顶部；隔板，将真空室沿垂直方向分成两个腔室；第一气路和第二气路，用于向两个腔室分别通入...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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