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本发明提供了一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构，本发明通过在多晶硅表面铺设BARC表面层，可以减小粗糙多晶硅表面对缺陷检测灵敏度的影响，同时通过缺陷检测程式参数调整至最大程度的提高多晶硅层缺陷检测能力，能够提高缺陷捕获能力...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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