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一种保护环数量的测试方法及装置，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括：确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；在所述中间区域范围内，获取与介于所述P...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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