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本发明公开了一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器，为全集成的两级级联结构，第一级放大电路采用并联电容的源电感反馈型共源共栅结构，第二级放大电路采用电感峰化的共源共栅结构；其中，单端射频信号经第一级放大电路实现输入匹配和放大后，通...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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