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本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气...
该专利属于山东大学;山东本源晶体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学;山东本源晶体科技有限公司授权不得商用。

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