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本发明公开了一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法，属于半导体晶圆级封装领域。本发明的具有择优取向生长结构的铜层包括晶圆基底、粘附层、铜籽晶层和电镀铜层，所述电镀铜层具有Z轴择优取向生长结构。本发明利用传统的直流电镀技术采用非染料系整...
该专利属于苏州昕皓新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州昕皓新材料科技有限公司授权不得商用。

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