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本实用新型公开了一种具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片,包括InP衬底以及从上到下依次设置在InP衬底上的InGaAsP刻蚀停止层、第二InP包覆层、InGaAsP衍射光栅层、第三InP包覆层和有源区,所述InGaAsP刻蚀停止层上设置有...该专利属于陜西源杰半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过陜西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。
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