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本发明涉及一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法，它包括：将小直径SiC籽晶进行修整切割；采用密排拼接方式粘结固定在籽晶托上，形成第一层籽晶，在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶，使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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