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本发明提供一种基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法，包括：SOI基片，由下至上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅；第一抗反射层，位于顶层硅的表面；第二抗反射层，位于背衬底的表面；深槽，贯穿第二抗反射层、背衬底及埋氧层；光学腔体结构...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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