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本发明提供一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含一鳍板结构，位于一半导体基底之上。半导体装置结构亦包含一栅极堆叠，覆盖鳍板结构的一部分。半导体装置结构更包含一间隔元件，位于栅极堆叠的一侧壁之上。上述间隔元件包括：一第一层及位于第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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