温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT，其包括从下至上依序设置的Si衬底层、N型重掺杂的GaN层、N型掺杂的N‑GaN层、介质钝化层和欧姆金属电极，N型掺杂的N‑GaN层刻蚀有GaN沟槽，GaN沟槽内生长AlGaN层，AlGaN层上...
该专利属于宁波海特创电控有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波海特创电控有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。