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本发明提供一种该激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底上由下向上依次沉积有缓冲层、N型外限制层、N型内限制层、非掺杂的折射率渐变的波导层、量子阱有源区、非掺杂的折射率渐变的波导层、P型内限制层、P型外限制层、腐蚀阻挡层、P型包层、P型...
该专利属于苏州全磊光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州全磊光电有限公司授权不得商用。

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