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本发明涉及在活性区域内具有两个光电转换元件的半导体器件，其目的在于，缩短将光电转换元件和第一晶体管连接的布线的长度，减小布线电容的值。在半导体衬底(SUB)上多个像素区域呈矩阵状排列，多个像素区域分别具有活性区域(AR)、两个光电转换元件(...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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