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本发明公开一种具有外延层的半导体结构，包含一基底，其上定义有一第一导电型态区域以及一第二导电型态区域，多条第一鳍状结构位于该基底上并位于该第一导电型态区域内，以及多条第二鳍状结构位于该基底上并位于该第二导电型态区域内，多个第一栅极结构位于该...
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