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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种深沟槽功率MOS器件结构及其制备方法，通过在做完体区离子注入和退火制程后，增加一道覆盖式P型离子注入工艺，于N型保护环上部及相邻N型保护环之间的P型轻掺杂外延层的上部形成P型轻掺杂区，以抵抗工艺中的...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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