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本发明涉及半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法。实施方式的半导体装置具备场效晶体管、开关、及控制部。场效晶体管具有衬底、设置在衬底之上的氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在漏极电极与源极电极之间的栅极电极...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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