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本发明公开了一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片及其制备方法，包括阳极区P1、N­型长基区、短基区P2、N­+型阴极区和正面的氧化膜、正面的门极金属电极、正面的阴极金属电极、背面的阳极金属电极、环形钝化沟槽及七层对通隔离结构的隔离环，七层对...
该专利属于江苏捷捷微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏捷捷微电子股份有限公司授权不得商用。

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