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本发明公开了一种异质接面双极晶体管，其包括在一GaAs基板上的一集电极、一基极和一发射极，其中所述基极包括一第一基极层，其包括具有一铟含量i和一第一斜率s1的IniGa1‑iAs，和一第二基极层，其包括具有一铟含量j和一第二斜率s2的Inj...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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