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本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。包括在形成有金属互连层的前端芯片上形成保护层，在所述保护层上形成焊垫，所述焊垫与所述金属互连层相连接；以及位于所述焊垫上的铜柱凸块；其中，所述保护层的强度小于或等于所述前端芯片的强度。与现有技术相比，...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。