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一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤：在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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