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一种在III-N层和硅衬底之间形成REO介电层和无定形Si层的方法。该方法包括在衬底上沉积单晶REO。单晶REO在邻近衬底处具有与衬底的晶格常数匹配的晶格常数，并且在邻近上表面处具有与选择的III-N材料匹配的晶格常数。在REO上形成无定形...
该专利属于全斯鲁森特公司所有，仅供学习研究参考，未经过全斯鲁森特公司授权不得商用。

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