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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于栅极和漏极之间的半导体层上存在凹槽；位于所述半导体层上的源场板，依次包括与源级电连接的起始部分、...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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