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本发明一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：1）将待处理的碳化硅单晶衬底置于反应腔内，对该反应腔抽真空至10-5pa，保持10分钟，然后通入刻蚀气体至1-120Kpa，保持20分钟；2）对反应腔抽真空至10-3pa，...
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