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本发明属于半导体生产技术领域，特别涉及半导体器件复合钝化膜，所述钝化膜包括五层结构，一层是位于基底上的多晶硅膜层，设置于多晶硅层上的SIPOS膜层，设置于SIPOS膜层上的LTO膜层，还包括设置于LTO膜层上的PSG膜层，以及位于PSG膜层...
该专利属于安徽富芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽富芯微电子有限公司授权不得商用。

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