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一种半导体装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法,该方法包含形成从隔离绝缘层伸出的第一与第二鳍结构;在第一与第二鳍结构上方形成栅极结构,每一第一与第二鳍结构具有在栅极结构外且具有第一宽度的源极/漏极区;移除源极/漏极区的侧壁的部分以形成经修整的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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