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本公开提供了用于利用期望材料形成半导体芯片的水平全环栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的方法。在一个实例中，一种将纳米线结构形成在基板上的方法包括：将含氧的气体混合物供应到处理腔室中的基板上的多材料层，其中所述多材料层包...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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