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本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：具有第一导电型的基底、两叠层、具有第二导电型的第一掺杂区、非晶化前注入区以及具有第二导电型的第二掺杂区。两叠层位于基底上，其中各叠层包括介电层以及导体层。介电层位于基底。导体层位于介...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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