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包括存储单元的短路可变电阻器元件的半导体存储器件制造技术
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下载包括存储单元的短路可变电阻器元件的半导体存储器件的技术资料
文档序号:14765613
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一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括:主单元和参考单元,其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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