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本发明属于集成电路领域，涉及可探测辐射的电压传感器的制备方法，具体针对NMOS晶体管和PMOS晶体管提出不同电路结构的电压传感器。本发明使用一个针对NMOS晶体管的电压传感器连接多个NMOS晶体管的P衬底接触点，可以探测其中任何一个NMOS...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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