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本发明公开了一类用于微波元器件及陶瓷电容器或温度补偿电容器的低温烧结铌酸盐高频介电陶瓷，该陶瓷以（Ｂａ↓［１－ｘ］Ｓｒ↓［ｘ］）↓［４］ＬｉＮｂ↓［３－ｙ］Ｔａ↓［ｙ］Ｏ↓［１２］为主相，其中０．００≤ｘ≤１，０．００≤ｙ≤２，采用相应的方...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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