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本发明提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，在现有的瞬态电压抑制器的基础上额外的添加栅叠层，并利用扩散隔离区复用为导电通道，使得所述栅叠层、第一掺杂区、导电通道、第二半导体层构成一个与所述瞬态电压抑制器的齐纳或雪崩二极管并联的MOS管，以实...
该专利属于矽力杰半导体技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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