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本发明属于一种采用化学方法制备具有成份梯度分布的非铅系铁电薄膜及其制备方法领域。本发明所述的具有成份梯度分布的Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ或Ｓｎ）Ｏ↓［３］铁电薄膜，含有Ｂａ（Ｔｉ↓［１－ｘ］，Ｚｒ或Ｓｎ↓［ｘ］）Ｏ↓［３］，其中Ｘ为０－０．７０。本发...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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