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本发明的课题在于，提供一种半导体的制造方法，所述半导体的制造方法包括将存在于经图案化的晶片衬底上的、至少上部的一部分形成有难以除去的固化改性层的光致抗蚀剂在温和的条件下简便且有效地除去的工序，以及包括所述工序的晶片衬底的清洗方法。作为其解决...该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社欧普特创造所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社欧普特创造授权不得商用。