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本实用新型公开一种具有微PN结量子垒的发光二极管外延结构，该发光二极管结构从下至上包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型GaN导电层，其特征在于所述量子阱有源区包括量子阱层和量子垒层；所述量子垒层由P型掺杂量子...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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