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本发明涉及高纯Ｙ↓［２］ＳｉＯ↓［５］新陶瓷材料的制备技术，具体为一种低温制备大块致密高纯单相Ｙ↓［２］ＳｉＯ↓［５］陶瓷材料的方法。在原料Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］和ＳｉＯ↓［２］混合物中加入添加剂ＬｉＹＯ↓［２］，添加剂的含量为Ｙ↓［２］Ｏ↓...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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