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本实用新型提供了一种增强型GaAs mHEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、第一GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs多量子阱缓冲层、第二GaAs缓冲层、第三GaAs缓冲层、第一InP缓冲层、第二InP缓冲层、沟道层、空间隔离层、Del...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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