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一种场效应晶体管，包括具有应变结晶半导体沟道区的主体层以及在沟道区上的栅极堆叠。栅极堆叠包括与沟道区晶格失配的结晶半导体栅极层以及在栅极层和沟道区之间的结晶栅电介质层。相关的器件和制造方法也被讨论。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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