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本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时，能够实现很宽的恒流...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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