温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明一种用于Flash存储器的差分位线结构及其操作方法，读取可靠，编程操作电压低，存储单元使用寿命长。所述结构包括一对差分位线和一个数据缓冲电路；一对差分位线包括一端分别连接数据缓冲电路的第一位线BL0和第二位线BL1；数据缓冲电路的输出...
该专利属于西安紫光国芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。