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本发明涉及一种超快光开关用硫卤玻璃。超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由Ｉｎ↓［２］Ｓ↓［３］、ＭＸ、Ａｓ↓［２］Ｓ↓［３］和ＧｅＳ↓［２］原料制备而成，各原料所占摩尔％为：Ｉｎ↓［２］Ｓ↓［３］：２０～３５，ＭＸ：２５～４０，Ａｓ↓［...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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