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本发明提供一种隔离型LDMOS结构及其制造方法，包括集成在同一P型衬底基片上的隔离槽结构和LDMOS结构；隔离槽结构位于P型衬底及其上方的N型外延层内、LDMOS结构的第二P型重掺杂区和第一P型扩散阱区之间，隔离槽结构包括至少一个槽、槽内部...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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