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本发明公开了一种非极性GaN薄膜缺陷密度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用饱和KOH溶液腐蚀非极性GaN薄膜，腐蚀时间为2～20min；(2)清洗腐蚀后的非极性GaN薄膜；(3)对清洗后的非极性GaN薄膜进行SEM或者AFM测...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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