温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施例包括一种装置，该装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，第一穿硅过孔包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，第一侧壁被与掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，第...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。